什么是氟鋁酸鉀釬劑以及他的應用,沈陽北真真空專業(yè)生產(chǎn)真空爐,擁有十多年的研發(fā)經(jīng)驗,對真空釬焊爐技術工藝掌握十分成熟,完整的配套服務為您解決真空爐一切問題,免費咨詢電話:13998872066
氟鋁酸鉀釬劑的應用
氟鋁酸鉀釬劑不太適用于火焰釬焊,這是因為 可燃氣體燃燒以后的廢氣主要就是水蒸氣(和 C02),火焰的卨溫容易使KA1F4水解,使得水解產(chǎn) 物脫水后的A120,殘渣增多。這時要多費許多釬劑 才能完成釬焊的過程,并且接頭很不美觀。有經(jīng)驗 的焊工常在施加釬劑以前將工件充分預熱,達到釬 劑溶化的溫度后再施釬劑,盡量縮短火焰和釬劑接 觸的時間,只有這樣才能獲得比較滿意的工藝結果_
爐中釬焊是最叮取的辦法。在干燥空氣中進行 本釬劑的釬焊巳可獲得足夠滿意的結果。我聞華北 以北的北部地區(qū),冬季12月至翌年2月間空氣的 相對濕度雜于25%,直接進行爐巾釬焊是完全 可行的。其他季節(jié)和地區(qū)應該應用氮氣保護的爐中 釬焊,關鍵是要控制氣氛中的水分,其次是含氧量。
氟鋁酸鉀釬劑的改性(modification)
在應用氟鋁酸鉀釬劑的基礎七,近年來發(fā)表了大量的文獻討論Nocolok方法的改進??偨Y有兩個 方面:一是在氣鋁酸鉀釬劑中加入第三種或更多種 鹽以增加釬劑的活性及其他性能,另一是發(fā)展*鋁 酸鉀釬劑的新的應用方法。
硅的存在可以使箱;鋁酸評釬劑的活性大為增 加這是原料中已有的雜質起到的意外效果 如果想進一步提髙釬劑的活性,比較理想的方式是 以KjSiF,的形式加人|4n。K2SiF6和AlFj-KF三元 系的關系可以參閱AjwpHftKO發(fā)表的AlF3-KF-SiF, 相圖1<2j。在Si)超過釬劑總量的2%時,析出的 Si和母材反應生成的合金可以自釬,無須另加釬 料。加人K2GeF6會有更高的活性,加人ZnF2、 PbF2, ZnF2w或KBF4都能有效提髙釬劑的 活性。這道理很明顯,因為這些添加物的陽離子在 釬焊時都會被母材還原析出,并與母材合金化成為 液態(tài)的金屬層,起了傳質的作用。但釬劑中如果含 過最繭金屬離子,釬焊時將會使接頭顏色變暗,丙 為析出的重金屬一時過多,來不及和母材合金化而 成微細顆粒懸浮在釬劑中。而有硼的存在時,實驗 表明,接頭往往嚴重發(fā)黑,因為還原出來的硼根本 不能與母材合金化,這可從A1-B的相圖上看出來。
在Noculok方法的改進上,一些專利文獻報道了將氟鋁酸鉀釬劑與一些合金粉末混合后使用,例如用鋅粉147、Al-Zn合金粉W’501與釬劑調成漿料 噴涂于T?件表面,加熱熔化后使工件表面形成相應 的Zn層或Al-Zn層,以利進一少的釬焊。
近年來,將KA1F,當作氣相軒劑的方法逐漸發(fā) 展起來:一種是苴接在低壓非氧氣氛中混人KA1F4 的蒸氣來進行鋁合金的釬焊[M】,另一種則是在鋁 合金零件外面用真空沉積-層KA1F4[52],然后根據(jù)需要拼裝組合后再釬焊。
在ANSi共晶釘料粉的衣層爪漂淨法(I'loating method)沉積一層KA1F,軒劑而形成軒料-釬劑復 合體:0:,再用有機溶劑,如正癸醇,調成焊音使用。
氟招酸鉀釬劑的一個缺點就是擦化溫度偏 不利釬焊工藝的操作。一碑學者探討設法降低 MttVKAlF,共晶點溫度的途徑。因為一切離子型 的氟化物都不能溶人液態(tài)的K3A1Fo-KAU’’'*熔鹽’ 但存有部分共價結構的氣化物卻可溶。圖2-13^ 示為aif3-kf-kci的熔鹽相圖[|37]。這個體系有三 個三元共晶點:其中,A和A共晶溫度分別為 534t和Mlt。較之Nocolok釬劑熔化溫度降低/ 24尤和丨7尤,這是很可喜的。遺憾的是添加了 KC1 以后熔鹽的黏度大為增加,失去了 NocoWc釬劑極 高的流動性和鋪展性。不過這個熔鹽能溶于水,方便熔渣的淸洗,而在潮濕空氣中又完全不吸濕。如 果把它作為基質,再添加一定量的界面活性劑,還是有SI能得到它實際的應用。
劉贊等做了甸A1F3-KF共晶中添加不同銅KBr后測定其熔化溫度的實驗。實驗表明,KBr的 含量為20% (質S分數(shù))時,可以獲得熔化溫度 為522^的熔鹽。文音認為:釬劑中形成KA1F4- K,AlK6-KAlBr4三元共晶是釬劑熔點降低的主要原 因,釬焊效果良好。
中溫氟鋁黢鹽釬劑常規(guī)Nocolok方法應用氟鋁酸鉀釬劑的最大不 足在于操作溫度(600七)太高,這也娃迫于釬劑 和釘料熔化溫度(分別為5581和577*C)的限制c 一多半的鋁合金由于過燒溫度低于6001:而不能用 氟鋁酸鉀釬劑釬焊。所謂過燒溫度通常是指超過合 金的固相線的溫度(見表2-3),合金加熱到這一 溫度時,晶間開始出現(xiàn)熔化相,從而產(chǎn)生結構組織 的破壞。圖2-14所示為主要鋁合金的過燒溫 度[?。可以看出,除了硬鋁(2x x x系)和(7 x x x系)以外,如果釬焊溫度小超過540 ~ 550X,則有相當多的合金是安全的。如果要考慮 釬焊硬鋁,那么釬焊的溫度便不能超過500弋。這 樣,釬劑的熔化溫度就要求低于480 - 490T,因 此要求研發(fā)無腐蝕、難溶于水而熔化溫度又低于 480~490尤的釬劑,就成為f余年來鋁釬劑發(fā)展的 重要方面。
以氣鋁酸鉀Nocolok釬劑為基礎,加入第三氟 化物組元來降低氣鋁酸鉀的熔化溫度是理所當然的設想。而事實上,在熔鹽電勢序(見表2-5) A1之后 元素的羝化物,包括稀土、鈦、鋯等金厲的氟化物 都不能用作釬劑的主組元。實驗表明,含少最這些 元素的氣化物時,它們有時還可以起到活性劑的作 用,當用它們來作為降低Nocolok熔化溫度的主組 元時,由于含童太大,這時的釬劑就會被鋁還原析 出大量的金屬微粒,并把母材表面弄得一01糟。事 實上,B丨供選擇的只有堿金埔和堿土金屬的氟化物。
根據(jù)最近一項研究表明1^?4熔融時, 熔體中的KA1F4主要呈分子態(tài)。離子聖的氟化物, 包括MgF2、CaF2、SrF2、BaF2,甚至含有部分共 價鍵的LiF,在其中都難溶,對氟鋁酸鉀釬劑的熔 化溫度不產(chǎn)生影響。只有分子型的BeF2及其他呈 分子態(tài)的鉻氟化物才能夠明顯地降低氟鋁酸鉀共晶 溫度。AlF,-KF-BeF2相圖的研究有比較詳細的報 道〖56,n】,其中有些數(shù)據(jù)頗具吸引力。例如,KA1F4- KBe2F5贗二元系政面的共晶點的熔化溫度只有 335尤。但由于鈹化合物的劇毒,這項研究結果除 了在特殊情況下,很難有實際意義[5<1。
Th0maw發(fā)表了 KF-AlF,-I,iF系熔鹽相圖的報 道,這個相圖指出,組成為ic(KF) =43_0%、 ?o(A1F3) =54.7%和 w(LiF) =2. 3% 處為一溫度為 490丈的三兀共晶點。YamawakiM'根據(jù)Thoma的相 圖,申報了這個成分釬劑的專利保護。但經(jīng)我們反 鉍的實驗,證明Yamawaki的專利根本不可信,連 同Thoma的相圖也都存疑。
盡管如此,但根據(jù)有經(jīng)驗的工作技術人員透 露,LiF雖然未能有降低釬劑的熔化溫度的效果,但在Nocolok釬劑中如果添加1% -丨.5% (質量分 數(shù))的UF卻有可以減少釬劑用量、延長活性時 間,更易工藝操作的優(yōu)點,因而添加LiF常成為這 些應用Nocolok釬劑單位的潛流程。為此,也有一 些Nocoiok釬劑的生產(chǎn)廠家,未做標明,卻也在產(chǎn) 品中添加了約1% (質童分數(shù))的I,iF。
一個有可靠應用前景的中溫不溶性釬劑是Su- zuki(61:對CsF-A1F3系的應用。報道指出,此釬劑的熔化溫度為440 - 480^ ,專利保護成分為 *(A1F3) =26% -67% , *(CsF) =74% ~ 33%。指 出,此釬劑有較髙的釬焊效率,對火焰的穩(wěn)定性比 氟鋁酸鉀劑高,據(jù)稱最大的優(yōu)點是對含鎂童高的合 金有特殊的活性。CsF-A1F3系相圖如圖2-15所 示[621。圖中可用作釬劑的共晶點的成分為 *(A1F3) =42.0%、*(CsF) =56.0%,熔化溫度為 4711:0對比CsF-A1F3和KF-A1F3兩個體系的相圖可 以看出,KA1F4是個固液同分化合物,熱穩(wěn)定性較 好;而CsA1F4是個固液異分化合物,熱穩(wěn)定性則 很差,加熱到4431就分解。在CsF-A1F3系中利用 配制釬劑的A點其實是Cs3A1F6和CsA^F,(即 C3F-2A1F,)的共晶。純相的KA1F4可以獨立作為 釬劑,而C?A1F4則不行。CsjAIF6-CsA1jF7共晶熔鹽在水中的溶解度也比Nocolok大得多,這主要是 CsA12F7的影響,它的溶解度約在0.8% ~ 1.0% 0 盡管如此,它在空氣中還是不吸濕的,釬焊的殘留 物并無腐蝕“相反,這個釬劑的殘留物比Nocolok 的殘留物要容易淸洗得多,用冷水即可將殘渣清洗干凈。
為了進一步降低上述A共晶點釬劑的熔化溢 度,也為了降低價格昂貴的CsF的含量,1986 ~ 1987年連續(xù)發(fā)表了 A1F3-KF-CSF三元系釬劑的專 利》],由于沒有有關相圖的指導,這個專利申 請保護的范圍很寬。專利指出.可獲得最低熔化溫 度為460尤的釬劑,據(jù)稱對含Mg最高的鋁合金有 很高的活性T幾乎可適用于所有的鋁合金的釬焊。
A1K3-KF-CsK -元系洋細相圖不久前發(fā)表fm<7。這個相圖的結構比較復雜,圖中各 零變點的組成和溫度見表2"*。零變點即指自由度 為零的相變點,在這里熔鹽的熔化區(qū)間為零。由圖 及表可以看出&(455<0、?(46(?:)都是非???取的組成點。溫度最低的組成點在&,本相圖沒 有精細測定,估計熔化M度應在430 E,和£5的熔化溫度都是478T ,和CsF-A1F3 二元 系的q熔化溫度471<c大體相當,但&和盡所用 的CsF要少多了,只及?的丨/3,因此利用這兩個 組成點配制釬劑更有經(jīng)濟上的意義。
圖 2-16 中的 點是 K3A1F6-KA1F4-(2CSjA1F6. 3KA1FJ喁三元系中的共晶點,熔化溫度為478t? 這三個化合物都是固液同分的, 熱穩(wěn)定性都很好。e9 是 KA1F4-(2Cs3A1F6,3KA1F4) 贗二元系的共晶點,熔化溫度為480T,也有類似 的特性。其次可選的是£3(5101),是更穩(wěn)定的 K3A1F6-Cs,A1F6-(2C83A1F6 ? 3KA1F4)贗三元系中的 共晶點。因此,如果一個生產(chǎn)商企圖規(guī)劃這種鋁釬 劑的系列產(chǎn)品,那他們釬劑的組成點當然就應該 是:( 558^ ) ; E3 (510弋);( 478T. ) ; Et (455^); £,(?430'C) o
表2*8 A1F3-KF-CsF三元系中零變點的數(shù)據(jù) Table 2-8 Nonvariant points in the ternary system AlF3-KF-CsF
組成(摩爾分數(shù),%) | 溫度/尤 | |||
A1F3 | CsF | KF | ||
3.0 | 59.0 | 38.0 | 550 | |
8.0 | 77.0 | 15.0 | 608 | |
35.0 | 39.0 | 26.0 | 510 | |
43.0 | 18.0 | 39.0 | 478 | |
e5 | 45.0 | 18.0 | 37.0 | 478 |
40.0 | 50.0 | 10.0 | 455 | |
42.0 | 34.0 | 24.0 | 525 | |
*1 | 57.0 | 43.0 | 625 | |
7.0 | 93.0 | 820 | ||
44.5 | 59.5 | 558 | ||
10.0 | 90.0 | 654 | ||
42.0 | 58.0 | 471 | ||
8.3 | 66.8 | 24.9 | 610 | |
37.0 | 25. 1 | 37.9 | 550 | |
37.6 | 36.2 | 26.2 | 550 | |
43.4 | 18.5 | 1 38. 1 | 480 | |
42. 1 | 28.5 | 29.4 | 550 | |
44.0 | 38. 1 | 17.9 | 530 | |
40.0 | 51. 1 | 8.9 | 460 | |
50.0 | 15.0 | 35.0 | 510 | |
50.0 | 29.0 | 21.0 | 525 | |
25.0 | 56.0 | 19.0 | 775 | |
% | 50.0 | 45.0 | 5.0 | 450 |
Csl?’的價格很高,是此型釬劑的不見。CsF的 相對分子質量很大,約為152,換算成質tt分數(shù)時,釬劑中CsF占的比例看起來更大。于是人們的 注意力轉向AlF3-RbF系,這個體系的相圖如圖2- 17[M)所示。體系中£2點的組成為*( RbF)= 51.6%、*(A1F3) =48.4%,熔化溫度為 486T,是 個可選的釬劑組成。RbF的相對分子質黽為 104.5,換算成質最分數(shù)要比CsF系釬劑用量少許 多,而兩者的價格則不相上下。合成CsF或RbF系釬劑可以采用它們的碳酸 鹽為原料,它比氫氧化銫稍穩(wěn)定,雖然不像氫氧化 銫那樣會吸收《>2,但也嚴重吸水,因此稱量前要 在120 ~ 130弋徹底脫水。合成可按照Nocolok用 &C03的方法進行,沒有特別之處。Si雜質在 AIF3-KF系釬劑中是一個“天賜的”活性劑,但Si 雜質在CSF或RbF系釬劑中卻會造成很大的麻煩。 Nocolok AIF3-KF系釬劑的熔化溫度較高(558T ), 釬劑一熔化的瞬間,被鋁母材還原出來的元素Si 立即和母材合金化,在母材表面生成一層閃亮的熔 態(tài)合金層,這一過程起了有效的活化作用。CSF或 RbF系釬劑的熔化溫度比較低,釬劑熔化以后還原 出來的Si不能和母材立即合金化,而以微粒形式 懸浮在釬劑之中,這就使得釬劑鋪展的中心處發(fā) 黑。國內(nèi)商品化學純的CsjCO;或Rb2C03在雜質 含K的杯簽上都標識良好,但往往不標注硅的含 量,其實硅的含量常大大超過0.1% (質量分數(shù))。 將Cs2C03或Rb2C03溶解在純水中,如果渾濁不清,則說明Si含量太髙。這是因為以Cs2SiO,形式 存在的雜質水解為硅膠而懸浮,這種硅膠無法通過 過濾而除掉,所以使用這種原料時,要在聚四氯乙 烯容器中反復加過量的HF并加熱以除去Si。因 此,在選用原料時,要十分注意碳酸鹽中的硅,還 有鐵的雜質含量。