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氟鋁酸鉀釬劑的應用

時間:2020-01-05 16:29:48 作者:小編 點擊:

什么是氟鋁酸鉀釬劑以及他的應用,沈陽北真真空專業(yè)生產(chǎn)真空爐,擁有十多年的研發(fā)經(jīng)驗,對真空釬焊爐技術工藝掌握十分成熟,完整的配套服務為您解決真空爐一切問題,免費咨詢電話:13998872066
氟鋁酸鉀釬劑的應用


  • 氟鋁酸鉀釬劑不太適用于火焰釬焊,這是因為 可燃氣體燃燒以后的廢氣主要就是水蒸氣(和 C02),火焰的卨溫容易使KA1F4水解,使得水解產(chǎn) 物脫水后的A120,殘渣增多。這時要多費許多釬劑 才能完成釬焊的過程,并且接頭很不美觀。有經(jīng)驗 的焊工常在施加釬劑以前將工件充分預熱,達到釬 劑溶化的溫度后再施釬劑,盡量縮短火焰和釬劑接 觸的時間,只有這樣才能獲得比較滿意的工藝結果_

  • 爐中釬焊是最叮取的辦法。在干燥空氣中進行 本釬劑的釬焊巳可獲得足夠滿意的結果。我聞華北 以北的北部地區(qū),冬季12月至翌年2月間空氣的 相對濕度雜于25%,直接進行爐巾釬焊是完全 可行的。其他季節(jié)和地區(qū)應該應用氮氣保護的爐中 釬焊,關鍵是要控制氣氛中的水分,其次是含氧量。

氟鋁酸鉀釬劑的改性(modification)

  • 在應用氟鋁酸鉀釬劑的基礎七,近年來發(fā)表了大量的文獻討論Nocolok方法的改進??偨Y有兩個 方面:一是在氣鋁酸鉀釬劑中加入第三種或更多種 鹽以增加釬劑的活性及其他性能,另一是發(fā)展*鋁 酸鉀釬劑的新的應用方法。

  • 硅的存在可以使箱;鋁酸評釬劑的活性大為增 加這是原料中已有的雜質起到的意外效果 如果想進一步提髙釬劑的活性,比較理想的方式是 以KjSiF,的形式加人|4n。K2SiF6和AlFj-KF三元 系的關系可以參閱AjwpHftKO發(fā)表的AlF3-KF-SiF, 相圖1<2j。在Si)超過釬劑總量的2%時,析出的 Si和母材反應生成的合金可以自釬,無須另加釬 料。加人K2GeF6會有更高的活性,加人ZnF2、 PbF2, ZnF2w或KBF4都能有效提髙釬劑的 活性。這道理很明顯,因為這些添加物的陽離子在 釬焊時都會被母材還原析出,并與母材合金化成為 液態(tài)的金屬層,起了傳質的作用。但釬劑中如果含 過最繭金屬離子,釬焊時將會使接頭顏色變暗,丙 為析出的重金屬一時過多,來不及和母材合金化而 成微細顆粒懸浮在釬劑中。而有硼的存在時,實驗 表明,接頭往往嚴重發(fā)黑,因為還原出來的硼根本 不能與母材合金化,這可從A1-B的相圖上看出來。

  • 在Noculok方法的改進上,一些專利文獻報道了將氟鋁酸鉀釬劑與一些合金粉末混合后使用,例如用鋅粉147、Al-Zn合金粉W’501與釬劑調成漿料 噴涂于T?件表面,加熱熔化后使工件表面形成相應 的Zn層或Al-Zn層,以利進一少的釬焊。

  • 近年來,將KA1F,當作氣相軒劑的方法逐漸發(fā) 展起來:一種是苴接在低壓非氧氣氛中混人KA1F4 的蒸氣來進行鋁合金的釬焊[M】,另一種則是在鋁 合金零件外面用真空沉積-層KA1F4[52],然后根據(jù)需要拼裝組合后再釬焊。

  • 在ANSi共晶釘料粉的衣層爪漂淨法(I'loating method)沉積一層KA1F,軒劑而形成軒料-釬劑復 合體:0:,再用有機溶劑,如正癸醇,調成焊音使用。

  • 氟招酸鉀釬劑的一個缺點就是擦化溫度偏 不利釬焊工藝的操作。一碑學者探討設法降低 MttVKAlF,共晶點溫度的途徑。因為一切離子型 的氟化物都不能溶人液態(tài)的K3A1Fo-KAU’’'*熔鹽’ 但存有部分共價結構的氣化物卻可溶。圖2-13^ 示為aif3-kf-kci的熔鹽相圖[|37]。這個體系有三 個三元共晶點:其中,A和A共晶溫度分別為 534t和Mlt。較之Nocolok釬劑熔化溫度降低/ 24尤和丨7尤,這是很可喜的。遺憾的是添加了 KC1 以后熔鹽的黏度大為增加,失去了 NocoWc釬劑極 高的流動性和鋪展性。不過這個熔鹽能溶于水,方便熔渣的淸洗,而在潮濕空氣中又完全不吸濕。如 果把它作為基質,再添加一定量的界面活性劑,還是有SI能得到它實際的應用。

  • 劉贊等做了甸A1F3-KF共晶中添加不同銅KBr后測定其熔化溫度的實驗。實驗表明,KBr的 含量為20% (質S分數(shù))時,可以獲得熔化溫度 為522^的熔鹽。文音認為:釬劑中形成KA1F4- K,AlK6-KAlBr4三元共晶是釬劑熔點降低的主要原 因,釬焊效果良好。
    中溫氟鋁黢鹽釬劑

  • 常規(guī)Nocolok方法應用氟鋁酸鉀釬劑的最大不 足在于操作溫度(600七)太高,這也娃迫于釬劑 和釘料熔化溫度(分別為5581和577*C)的限制c 一多半的鋁合金由于過燒溫度低于6001:而不能用 氟鋁酸鉀釬劑釬焊。所謂過燒溫度通常是指超過合 金的固相線的溫度(見表2-3),合金加熱到這一 溫度時,晶間開始出現(xiàn)熔化相,從而產(chǎn)生結構組織 的破壞。圖2-14所示為主要鋁合金的過燒溫 度[?。可以看出,除了硬鋁(2x x x系)和(7 x x x系)以外,如果釬焊溫度小超過540 ~ 550X,則有相當多的合金是安全的。如果要考慮 釬焊硬鋁,那么釬焊的溫度便不能超過500弋。這 樣,釬劑的熔化溫度就要求低于480 - 490T,因 此要求研發(fā)無腐蝕、難溶于水而熔化溫度又低于 480~490尤的釬劑,就成為f余年來鋁釬劑發(fā)展的 重要方面。

  • 以氣鋁酸鉀Nocolok釬劑為基礎,加入第三氟 化物組元來降低氣鋁酸鉀的熔化溫度是理所當然的設想。而事實上,在熔鹽電勢序(見表2-5) A1之后 元素的羝化物,包括稀土、鈦、鋯等金厲的氟化物 都不能用作釬劑的主組元。實驗表明,含少最這些 元素的氣化物時,它們有時還可以起到活性劑的作 用,當用它們來作為降低Nocolok熔化溫度的主組 元時,由于含童太大,這時的釬劑就會被鋁還原析 出大量的金屬微粒,并把母材表面弄得一01糟。事 實上,B丨供選擇的只有堿金埔和堿土金屬的氟化物。

  • 根據(jù)最近一項研究表明1^?4熔融時, 熔體中的KA1F4主要呈分子態(tài)。離子聖的氟化物, 包括MgF2、CaF2、SrF2、BaF2,甚至含有部分共 價鍵的LiF,在其中都難溶,對氟鋁酸鉀釬劑的熔 化溫度不產(chǎn)生影響。只有分子型的BeF2及其他呈 分子態(tài)的鉻氟化物才能夠明顯地降低氟鋁酸鉀共晶 溫度。AlF,-KF-BeF2相圖的研究有比較詳細的報 道〖56,n】,其中有些數(shù)據(jù)頗具吸引力。例如,KA1F4- KBe2F5贗二元系政面的共晶點的熔化溫度只有 335尤。但由于鈹化合物的劇毒,這項研究結果除 了在特殊情況下,很難有實際意義[5<1。

  • Th0maw發(fā)表了 KF-AlF,-I,iF系熔鹽相圖的報 道,這個相圖指出,組成為ic(KF) =43_0%、 ?o(A1F3) =54.7%和 w(LiF) =2. 3% 處為一溫度為 490丈的三兀共晶點。YamawakiM'根據(jù)Thoma的相 圖,申報了這個成分釬劑的專利保護。但經(jīng)我們反 鉍的實驗,證明Yamawaki的專利根本不可信,連 同Thoma的相圖也都存疑。

  • 盡管如此,但根據(jù)有經(jīng)驗的工作技術人員透 露,LiF雖然未能有降低釬劑的熔化溫度的效果,但在Nocolok釬劑中如果添加1% -丨.5% (質量分 數(shù))的UF卻有可以減少釬劑用量、延長活性時 間,更易工藝操作的優(yōu)點,因而添加LiF常成為這 些應用Nocolok釬劑單位的潛流程。為此,也有一 些Nocoiok釬劑的生產(chǎn)廠家,未做標明,卻也在產(chǎn) 品中添加了約1% (質童分數(shù))的I,iF。

  • 一個有可靠應用前景的中溫不溶性釬劑是Su- zuki(61:對CsF-A1F3系的應用。報道指出,此釬劑的熔化溫度為440 - 480^ ,專利保護成分為 *(A1F3) =26% -67% , *(CsF) =74% ~ 33%。指 出,此釬劑有較髙的釬焊效率,對火焰的穩(wěn)定性比 氟鋁酸鉀劑高,據(jù)稱最大的優(yōu)點是對含鎂童高的合 金有特殊的活性。CsF-A1F3系相圖如圖2-15所 示[621。圖中可用作釬劑的共晶點的成分為 *(A1F3) =42.0%、*(CsF) =56.0%,熔化溫度為 4711:0對比CsF-A1F3和KF-A1F3兩個體系的相圖可 以看出,KA1F4是個固液同分化合物,熱穩(wěn)定性較 好;而CsA1F4是個固液異分化合物,熱穩(wěn)定性則 很差,加熱到4431就分解。在CsF-A1F3系中利用 配制釬劑的A點其實是Cs3A1F6和CsA^F,(即 C3F-2A1F,)的共晶。純相的KA1F4可以獨立作為 釬劑,而C?A1F4則不行。CsjAIF6-CsA1jF7共晶熔鹽在水中的溶解度也比Nocolok大得多,這主要是 CsA12F7的影響,它的溶解度約在0.8% ~ 1.0% 0 盡管如此,它在空氣中還是不吸濕的,釬焊的殘留 物并無腐蝕“相反,這個釬劑的殘留物比Nocolok 的殘留物要容易淸洗得多,用冷水即可將殘渣清洗干凈。

  • 為了進一步降低上述A共晶點釬劑的熔化溢 度,也為了降低價格昂貴的CsF的含量,1986 ~ 1987年連續(xù)發(fā)表了 A1F3-KF-CSF三元系釬劑的專 利》],由于沒有有關相圖的指導,這個專利申 請保護的范圍很寬。專利指出.可獲得最低熔化溫 度為460尤的釬劑,據(jù)稱對含Mg最高的鋁合金有 很高的活性T幾乎可適用于所有的鋁合金的釬焊。

  • A1K3-KF-CsK -元系洋細相圖不久前發(fā)表fm<7。這個相圖的結構比較復雜,圖中各 零變點的組成和溫度見表2"*。零變點即指自由度 為零的相變點,在這里熔鹽的熔化區(qū)間為零。由圖 及表可以看出&(455<0、?(46(?:)都是非???取的組成點。溫度最低的組成點在&,本相圖沒 有精細測定,估計熔化M度應在430 E,和£5的熔化溫度都是478T ,和CsF-A1F3 二元 系的q熔化溫度471<c大體相當,但&和盡所用 的CsF要少多了,只及?的丨/3,因此利用這兩個 組成點配制釬劑更有經(jīng)濟上的意義。

  • 圖 2-16 中的 點是 K3A1F6-KA1F4-(2CSjA1F6. 3KA1FJ喁三元系中的共晶點,熔化溫度為478t? 這三個化合物都是固液同分的, 熱穩(wěn)定性都很好。e9 是 KA1F4-(2Cs3A1F6,3KA1F4) 贗二元系的共晶點,熔化溫度為480T,也有類似 的特性。其次可選的是£3(5101),是更穩(wěn)定的 K3A1F6-Cs,A1F6-(2C83A1F6 ? 3KA1F4)贗三元系中的 共晶點。因此,如果一個生產(chǎn)商企圖規(guī)劃這種鋁釬 劑的系列產(chǎn)品,那他們釬劑的組成點當然就應該 是:( 558^ ) ; E3 (510弋);( 478T. ) ; Et (455^); £,(?430'C) o

  • 表2*8 A1F3-KF-CsF三元系中零變點的數(shù)據(jù) Table 2-8 Nonvariant points in the ternary system AlF3-KF-CsF

  
 

組成(摩爾分數(shù),%)

溫度/尤


A1F3

CsF

KF


3.0

59.0

38.0

550


8.0

77.0

15.0

608


35.0

39.0

26.0

510


43.0

18.0

39.0

478

e5

45.0

18.0

37.0

478


40.0

50.0

10.0

455


42.0

34.0

24.0

525

*1


57.0

43.0

625


7.0


93.0

820


44.5


59.5

558


10.0

90.0


654


42.0

58.0


471


8.3

66.8

24.9

610


37.0

25. 1

37.9

550


37.6

36.2

26.2

550


43.4

18.5

1 38. 1

480


42. 1

28.5

29.4

550


44.0

38. 1

17.9

530


40.0

51. 1

8.9

460


50.0

15.0

35.0

510


50.0

29.0

21.0

525


25.0

56.0

19.0

775

%

50.0

45.0

5.0

450

  • Csl?’的價格很高,是此型釬劑的不見。CsF的 相對分子質量很大,約為152,換算成質tt分數(shù)時,釬劑中CsF占的比例看起來更大。于是人們的 注意力轉向AlF3-RbF系,這個體系的相圖如圖2- 17[M)所示。體系中£2點的組成為*( RbF)= 51.6%、*(A1F3) =48.4%,熔化溫度為 486T,是 個可選的釬劑組成。RbF的相對分子質黽為 104.5,換算成質最分數(shù)要比CsF系釬劑用量少許 多,而兩者的價格則不相上下。合成CsF或RbF系釬劑可以采用它們的碳酸 鹽為原料,它比氫氧化銫稍穩(wěn)定,雖然不像氫氧化 銫那樣會吸收《>2,但也嚴重吸水,因此稱量前要 在120 ~ 130弋徹底脫水。合成可按照Nocolok用 &C03的方法進行,沒有特別之處。Si雜質在 AIF3-KF系釬劑中是一個“天賜的”活性劑,但Si 雜質在CSF或RbF系釬劑中卻會造成很大的麻煩。 Nocolok AIF3-KF系釬劑的熔化溫度較高(558T ), 釬劑一熔化的瞬間,被鋁母材還原出來的元素Si 立即和母材合金化,在母材表面生成一層閃亮的熔 態(tài)合金層,這一過程起了有效的活化作用。CSF或 RbF系釬劑的熔化溫度比較低,釬劑熔化以后還原 出來的Si不能和母材立即合金化,而以微粒形式 懸浮在釬劑之中,這就使得釬劑鋪展的中心處發(fā) 黑。國內(nèi)商品化學純的CsjCO;或Rb2C03在雜質 含K的杯簽上都標識良好,但往往不標注硅的含 量,其實硅的含量常大大超過0.1% (質量分數(shù))。 將Cs2C03或Rb2C03溶解在純水中,如果渾濁不清,則說明Si含量太髙。這是因為以Cs2SiO,形式 存在的雜質水解為硅膠而懸浮,這種硅膠無法通過 過濾而除掉,所以使用這種原料時,要在聚四氯乙 烯容器中反復加過量的HF并加熱以除去Si。因 此,在選用原料時,要十分注意碳酸鹽中的硅,還 有鐵的雜質含量。